SI3447BDV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.04 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.1 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds -12.0 V
连续漏极电流Ids -4.50 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 6
封装 TSOP
外形尺寸
封装 TSOP
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SI3447BDV-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI3447BDV-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET P-CH 12V 4.5A 6Pin TSOP T/R | 搜索库存 |