锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

SI4406DY-T1-E3

SI4406DY-T1-E3

数据手册.pdf

N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V D-S MOSFET

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R


Allied Electronics:
N-CHANNEL 30V D-S MOSFET


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R


SI4406DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0055 Ω

耗散功率 1.6 W

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 15 ns

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

长度 5 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

SI4406DY-T1-E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI4406DY-T1-E3
型号 制造商 描述 购买
SI4406DY-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V D-S MOSFET 搜索库存