SUD50P04-13L-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.0105 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 3 W
漏源极电压Vds 30.0 V, -40.0 V
连续漏极电流Ids 11.0 A, 60.0 A, -60.0 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252
外形尺寸
封装 TO-252
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SUD50P04-13L-GE3引脚图与封装图
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在线购买SUD50P04-13L-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SUD50P04-13L-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SUD50P04-13L-GE3. 场效应管, MOSFET, P沟道, -60A, -40V, 3W | 搜索库存 |
替代型号SUD50P04-13L-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SUD50P04-13L-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-252 P-Channel 30V 11A | 当前型号 | VISHAY SUD50P04-13L-GE3. 场效应管, MOSFET, P沟道, -60A, -40V, 3W | 当前型号 |
| 型号： SUD50P04-08-GE3 品牌： 威世 封装： TO-252AA P-Channel | 类似代替 | VISHAY SUD50P04-08-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 6.7 mohm, -10 V, -1 V | SUD50P04-13L-GE3和SUD50P04-08-GE3的区别 |
| 型号： SUD50P04-13L-E3 品牌： 威世 封装： TO-252 P-Channel 48A | 类似代替 | VISHAY SUD50P04-13L-E3. 场效应管, MOSFET, P沟道, -40V, -50A, TO-252-3 | SUD50P04-13L-GE3和SUD50P04-13L-E3的区别 |