SI1303DL-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 P-Channel
漏源极电压Vds -20.0 V
连续漏极电流Ids -720 mA
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI1303DL-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI1303DL-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | P沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5-V G-S MOSFET | 搜索库存 |