SI2351DS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.092 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds -20.0 V
连续漏极电流Ids -3.00 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 3
封装 TO-236
外形尺寸
封装 TO-236
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI2351DS-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI2351DS-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI2351DS-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI2351DS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -20 V, 0.092 ohm, -4.5 V, -1.5 V | 搜索库存 |
替代型号SI2351DS-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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