SI1051X-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 P-Channel
漏源极电压Vds -8.00 V
连续漏极电流Ids 1.20 A
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI1051X-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SI1051X-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | P沟道8 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 8-V D-S MOSFET | 搜索库存 |