SI4108DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 7.80 W
漏源极电压Vds 75.0 V
连续漏极电流Ids 20.5 A
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Exempt
REACH SVHC标准 No SVHC
SI4108DY-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI4108DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 75V 13.8A 8Pin SOIC N T/R | 搜索库存 |