SIA417DJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 P-Channel
漏源极电压Vds -8.00 V
连续漏极电流Ids -12.0 A
封装参数
引脚数 6
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIA417DJ-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SIA417DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIA417DJ-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -8V, 12A, SC-70 | 搜索库存 |