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SI4876DY-T1-E3

SI4876DY-T1-E3

数据手册.pdf

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 20V; RDSON 0.0037Ω; ID 14A; SO-8; PD 1.6W; VGS +/-12V; -55

**Features:

**

* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition

* TrenchFET® Power MOSFET: 1.8 V Rated

* Ultra Low On-Resistance for Increased Battery Life

* New PowerPAK® Package - Low Thermal Resistance, RthJC - Low 1.07 mm Profile

* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

**Applications:

**

* Load/Power Switching in Portable Devices


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 14A 8-Pin SOIC N T/R


Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 20V; RDSON 0.0037Ohm; ID 14A; SO-8; PD 1.6W; VGS +/-12V; -55


SI4876DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

漏源极电阻 0.0075 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.6 W

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 21.0 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.55 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI4876DY-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI4876DY-T1-E3
型号 制造商 描述 购买
SI4876DY-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 20V; RDSON 0.0037Ω; ID 14A; SO-8; PD 1.6W; VGS +/-12V; -55 搜索库存