SI4831DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 45.0 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2.00 W
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids -5.00 A to 5.00 A
封装参数
封装 SO
外形尺寸
封装 SO
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4831DY-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4831DY-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8Pin SOIC N T/R | 搜索库存 |