SI7120DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.015 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.5 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 12.0 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 1212
外形尺寸
封装 1212
其他
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Exempt
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI7120DN-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7120DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7120DN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 60 V, 0.015 ohm, 10 V, 2.5 V | 搜索库存 |