SI4484EY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
针脚数 8
漏源极电阻 34 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.8 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 6.90 A
工作温度Max 175 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4484EY-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4484EY-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI4484EY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V 6.9A 8-SOIC | 搜索库存 |