SI2305ADS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 88 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 960 mW
漏源极电压Vds -8.00 V
连续漏极电流Ids -4.10 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 3
封装 TO-236
外形尺寸
封装 TO-236
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI2305ADS-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI2305ADS-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI2305ADS-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI2305ADS-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -8V, 4.1A, TO-236 | 搜索库存 |
替代型号SI2305ADS-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI2305ADS-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOT-23/SC-59 P-Channel 8V 4.1A | 当前型号 | VISHAY SI2305ADS-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -8V, 4.1A, TO-236 | 当前型号 |
| 型号： SI2305CDS-T1-GE3 品牌： 威世 封装： SOT-23 P-Channel | 功能相似 | VISHAY SI2305CDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -5.8 A, -8 V, 0.028 ohm, -4.5 V, -1 V | SI2305ADS-T1-GE3和SI2305CDS-T1-GE3的区别 |
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