SI5856DC-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
漏源极电压Vds 20.0 V
连续漏极电流Ids 5.90 A
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI5856DC-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI5856DC-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | N沟道1.8 -V （G -S ） MOSFET和肖特基二极管 N-Channel 1.8-V G-S MOSFET With Schottky Diode | 搜索库存 |