SI3458DV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 100 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.00 W
漏源极电压Vds 60.0 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.20 A
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP
外形尺寸
封装 TSOP
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI3458DV-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SI3458DV-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A 6Pin TSOP T/R | 搜索库存 |