SI1305EDL-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 280 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 340 mW
栅源击穿电压 ±8.00 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-323
外形尺寸
封装 SOT-323
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI1305EDL-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI1305EDL-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3 | 搜索库存 |