SI7459DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0056 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.9 W
漏源极电压Vds -30.0 V
连续漏极电流Ids -22.0 A
上升时间 20 ns
下降时间 130 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI7459DP-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7459DP-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7459DP-T1-E3 MOSFET Transistor, P Channel, -13A, -30V, 0.0056Ω, -10V, -3V | 搜索库存 |