SI1411DH-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 2.05 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds -150 V
连续漏极电流Ids -520 mA
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
外形尺寸
封装 SOT-363
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI1411DH-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI1411DH-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI1411DH-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -420 mA, -150 V, 2.05 ohm, -6 V, -4.5 V | 搜索库存 |