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SI2309DS-T1-E3

SI2309DS-T1-E3

数据手册.pdf

P通道60 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 60-V D-S MOSFET

**Features:

**

* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition

* TrenchFET® Power MOSFET: 1.8 V Rated

* Ultra Low On-Resistance for Increased Battery Life

* New PowerPAK® Package - Low Thermal Resistance, RthJC - Low 1.07 mm Profile

* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

**Applications:

**

* Load/Power Switching in Portable Devices


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R


SI2309DS-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.275 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.25 W

漏源极电压Vds -60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids -1.25 A

上升时间 11.5 ns

下降时间 7.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI2309DS-T1-E3引脚图与封装图
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SI2309DS-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 P通道60 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 60-V D-S MOSFET 搜索库存