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SI5445BDC-T1-E3

SI5445BDC-T1-E3

数据手册.pdf

P沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 1.8-V G-S MOSFET

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 8V 5.2A 8-Pin Chip FET T/R


Allied Electronics:
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -8V; RDSON 0.027Ohm; ID -5.2A; 1206-8 ChipFET; PD 1.3W


Verical:
Trans MOSFET P-CH 8V 5.2A 8-Pin Chip FET T/R


SI5445BDC-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.027 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.3 W

输入电容 305pF @15V

上升时间 22 ns

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 1206

外形尺寸

长度 3.1 mm

高度 1.1 mm

封装 1206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI5445BDC-T1-E3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI5445BDC-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 P沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 1.8-V G-S MOSFET 搜索库存