SI7413DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.012 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.5 W
漏源极电压Vds -20.0 V
连续漏极电流Ids -13.2 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 1212
外形尺寸
封装 1212
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI7413DN-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI7413DN-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7413DN-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | P通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V D-S MOSFET | 搜索库存 |
替代型号SI7413DN-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI7413DN-T1-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： P-Channel 20V 13.2A | 当前型号 | P通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V D-S MOSFET | 当前型号 |
| 型号： SIS407DN-T1-GE3 品牌： 威世 封装： PowerPAK P-Channel | 类似代替 | VISHAY SIS407DN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -25 A, -20 V, 0.0082 ohm, -4.5 V, -400 mV | SI7413DN-T1-E3和SIS407DN-T1-GE3的区别 |