SI1305DL-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 530 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 340 mW
漏源极电压Vds -8.00 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids -920 mA
上升时间 55 ns
下降时间 12 ns
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
外形尺寸
封装 SC-70-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI1305DL-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI1305DL-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | P沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET P-Channel 1.8-V G-S MOSFET | 搜索库存 |