
SI1021R-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 4.00 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 250 mW
漏源极电压Vds -60.0 V
漏源击穿电压 -60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids -190 mA
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI1021R-T1-E3引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI1021R-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | P通道60 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 60-V D-S MOSFET | 搜索库存 |