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SI1021R-T1-E3
SI1021R-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 4.00 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 250 mW

漏源极电压Vds -60.0 V

漏源击穿电压 -60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids -190 mA

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI1021R-T1-E3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI1021R-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 P通道60 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 60-V D-S MOSFET 搜索库存