SI3451DV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
极性 P-Channel
漏源极电压Vds -20.0 V
连续漏极电流Ids -2.80 A
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSOP-6
外形尺寸
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
高度 1.1 mm
封装 TSOP-6
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI3451DV-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI3451DV-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | P通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V D-S MOSFET | 搜索库存 |