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SI1013X-T1-E3

SI1013X-T1-E3

数据手册.pdf

P沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 1.8-V G-S MOSFET

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R


Allied Electronics:
1.8V P-CHANNEL MOSFET W/ESD PROTECT


SI1013X-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 2.7 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 250 mW

漏源极电压Vds -20.0 V

漏源击穿电压 -20.0 V

栅源击穿电压 ±6.00 V

连续漏极电流Ids -350 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-75

外形尺寸

长度 1.7 mm

高度 0.8 mm

封装 SC-75

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI1013X-T1-E3引脚图与封装图
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SI1013X-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 P沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 1.8-V G-S MOSFET 搜索库存