SI1013R-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 1.20 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 150 mW
漏源极电压Vds -20.0 V
漏源击穿电压 -20.0 V
栅源击穿电压 ±6.00 V
连续漏极电流Ids -350 mA
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI1013R-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI1013R-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | P沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET P-Channel 1.8-V G-S MOSFET | 搜索库存 |