SI2302ADS-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.045 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 0.7 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 2.40 A, 2.10 A
上升时间 80 ns
输出功率 700 mW
热阻 140℃/W RθJA
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
SI2302ADS-T1-E3引脚图与封装图 
SI2302ADS-T1-E3引脚图
SI2302ADS-T1-E3封装焊盘图
在线购买SI2302ADS-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI2302ADS-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET N-Channel 2.5-V G-S MOSFET | 搜索库存 |