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SI1012X-T1-E3

SI1012X-T1-E3

数据手册.pdf

N沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET N-Channel 1.8-V G-S MOSFET

**Features:**

* Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available

* * Low On-Resistance: 2 Ω

* * Low Threshold: 2 V Typ.

* * Low Input Capacitance: 25 pF

* * Fast Switching Speed: 25 ns

* * Low Input and Output Leakage

* * TrenchFET® Power MOSFET

* * 2000 V ESD Protection

**Applications:**

* Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Display, Memories, Transistors, etc.

* Battery Operated Systems

* Solid State Relays

SI1012X-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 1.25 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 250 mW

阈值电压 900 mV

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

栅源击穿电压 ±6.00 V

连续漏极电流Ids 500 mA

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-89

外形尺寸

封装 SC-89

其他

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI1012X-T1-E3引脚图与封装图
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SI1012X-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 N沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET N-Channel 1.8-V G-S MOSFET 搜索库存
替代型号SI1012X-T1-E3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SI1012X-T1-E3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: N-Channel 20V 500mA 850mΩ

当前型号

N沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET N-Channel 1.8-V G-S MOSFET

当前型号

型号: SI1012X-T1-GE3

品牌: 威世

封装: SC-89 N-Channel 20V 600mA

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