SI3434DV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.028 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.14 W
阈值电压 600 mV
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 4.60 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP
外形尺寸
封装 TSOP
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI3434DV-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI3434DV-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI3434DV-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.6 A, 30 V, 0.028 ohm, 4.5 V, 600 mV | 搜索库存 |