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SI1433DH-T1-E3

SI1433DH-T1-E3

数据手册.pdf

VISHAY  SI1433DH-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -1.9 A, -30 V, 0.12 ohm, -10 V, -3 V

The is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.

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1.8V Rated voltage
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Thermally enhanced package
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-55 to 150°C Operating temperature range

e络盟:
VISHAY  SI1433DH-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -1.9 A, -30 V, 0.12 ohm, -10 V, -3 V


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 1.9A 6-Pin SC-70 T/R


SI1433DH-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.12 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 950 mW

漏源极电压Vds -30.0 V

连续漏极电流Ids -2.20 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI1433DH-T1-E3引脚图与封装图
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SI1433DH-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI1433DH-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -1.9 A, -30 V, 0.12 ohm, -10 V, -3 V 搜索库存