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SSM4K27CTTPL3

SSM4K27CTTPL3

数据手册.pdf
Toshiba(东芝) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 4Pin CST Embossed T/R

* Small package * Low on-resistance: RDSON = 205 mΩ max @VGS = 4.0 V * RDSON = 260 mΩ max @VGS = 2.5 V * RDSON = 390 mΩ max @VGS = 1.8 V


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 4-Pin CST Embossed T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 20V .5A CST4


SSM4K27CTTPL3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 400mW Ta

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 174pF @10VVds

耗散功率Max 400mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-4

外形尺寸

封装 SMD-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SSM4K27CTTPL3引脚图与封装图
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SSM4K27CTTPL3 Toshiba 东芝 Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 4Pin CST Embossed T/R 搜索库存