SQ3442EV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.044 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.7 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 20 V
工作温度Max 175 ℃
封装参数
引脚数 6
封装 TSOP
外形尺寸
封装 TSOP
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SQ3442EV-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQ3442EV-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | 汽车N沟道20 V （D -S ）， 175℃ MOSFET Automotive N-Channel 20 V D-S 175 °C MOSFET | 搜索库存 |