SUP85N10-10-GE3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 0.0085 Ω
耗散功率 250 W
阈值电压 1 V
漏源击穿电压 100 V
上升时间 90 ns
输入电容Ciss 6550pF @25VVds
下降时间 130 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.01 mm
封装 TO-220-3
其他
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
海关信息
ECCN代码 EAR99
SUP85N10-10-GE3引脚图与封装图
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在线购买SUP85N10-10-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SUP85N10-10-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | 搜索库存 |