SQD50N02-04-GE3
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
SQD50N02-04-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.0033 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 136 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 20 V
工作温度Max 175 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252
外形尺寸
封装 TO-252
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SQD50N02-04-GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SQD50N02-04-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQD50N02-04-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SQD50N02-04-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 20 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2 V | 搜索库存 |