针脚数 3
漏源极电阻 0.32 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 33 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 937pF @100VVds
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 33000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
高度 15.3 mm
封装 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube
制造应用 Lighting, Consumer Electronics, Computers & Computer Peripherals, Power Management, Communications & Networking, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIHA12N60E-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIHA12N60E-E3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SIHA12N60E-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO N-Channel | 当前型号 | VISHAY SIHA12N60E-E3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 4 V | 当前型号 |
| 型号： SPA11N60C3XKSA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 600V 11A | 功能相似 | PG-TO220-3-31 整包 | SIHA12N60E-E3和SPA11N60C3XKSA1的区别 |
| 型号： SPA11N60C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-220-3 N-Channel 650V 11A | 功能相似 | Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | SIHA12N60E-E3和SPA11N60C3的区别 |
