SUD50N06-08H-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0065 Ω
耗散功率 136 W
输入电容 7000pF @25V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
上升时间 13 nS
下降时间 10 nS
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SUD50N06-08H-E3引脚图与封装图
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在线购买SUD50N06-08H-E3
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SUD50N06-08H-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 60V; RDSON 0.0065Ω; ID 93A; TO-252; PD 136W; VGS +/-20V | 搜索库存 |