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SUD50N06-08H-E3

SUD50N06-08H-E3

数据手册.pdf

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 60V; RDSON 0.0065Ω; ID 93A; TO-252; PD 136W; VGS +/-20V

**Features:

**

* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition

* TrenchFET® Power MOSFET: 1.8 V Rated

* Ultra Low On-Resistance for Increased Battery Life

* New PowerPAK® Package - Low Thermal Resistance, RthJC - Low 1.07 mm Profile

* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

**Applications:

**

* Load/Power Switching in Portable Devices


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 93A 3-Pin2+Tab DPAK


SUD50N06-08H-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0065 Ω

耗散功率 136 W

输入电容 7000pF @25V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

上升时间 13 nS

下降时间 10 nS

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

SUD50N06-08H-E3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SUD50N06-08H-E3 Vishay Semiconductor 威世 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 60V; RDSON 0.0065Ω; ID 93A; TO-252; PD 136W; VGS +/-20V 搜索库存