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SIHP12N50C-E3

SIHP12N50C-E3

数据手册.pdf

VISHAY  SIHP12N50C-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 500 V, 0.46 ohm, 10 V, 3 V

The is a 500VDS N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

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Low figure-of-merit FOM Ron x Qg
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100% Avalanche tested
.
Gate charge improved
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Improved trr/Qrr

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin3+Tab TO-220AB


富昌:
500 V 0.555 OHM N沟道 单 MOSFET TO 220


Newark:
# VISHAY  SIHP12N50C-E3  MOSFET Transistor, N Channel, 12 A, 500 V, 0.46 ohm, 10 V, 3 V


SIHP12N50C-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.46 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 208 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SIHP12N50C-E3引脚图与封装图
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在线购买SIHP12N50C-E3
型号 制造商 描述 购买
SIHP12N50C-E3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SIHP12N50C-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 500 V, 0.46 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号SIHP12N50C-E3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SIHP12N50C-E3

品牌： Vishay Semiconductor 威世

封装： TO-220-3 N-Channel

当前型号

VISHAY  SIHP12N50C-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 500 V, 0.46 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号： STP14NM50N

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 500V 12A

功能相似

STP14NM50N 系列 N 沟道 500 V 0.32 Ohm MDmesh II 功率 MOSFet - TO-220-3

SIHP12N50C-E3和STP14NM50N的区别

型号： IXFP12N50P

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-220 N-Channel 500V 12A 500mΩ 1.69nF

功能相似

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

SIHP12N50C-E3和IXFP12N50P的区别