SIHA15N60E-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.23 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 34 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 51 ns
下降时间 33 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
外形尺寸
封装 TO-220
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIHA15N60E-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIHA15N60E-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIHA15N60E-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 15A, TO-220F | 搜索库存 |