SIHG17N60D-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.275 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 277.8 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 56 ns
输入电容Ciss 1780pF @10VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 277.8 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
高度 20.82 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIHG17N60D-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIHG17N60D-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIHG17N60D-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.275 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |