SQD25N15-52-GE3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.038 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 107 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 150 V
工作温度Max 175 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Automotive, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SQD25N15-52-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQD25N15-52-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SQD25N15-52-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 150 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |