SIHF6N65E-GE3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 0.6 Ω
耗散功率 31 W
阈值电压 4 V
漏源击穿电压 650 V
上升时间 12 ns
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
高度 15.49 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIHF6N65E-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIHF6N65E-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3Pin TO-220FP T/R | 搜索库存 |