SQD40N10-25-GE3
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
SQD40N10-25-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.019 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 136 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 100 V
工作温度Max 175 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252
外形尺寸
封装 TO-252
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SQD40N10-25-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQD40N10-25-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SQD40N10-25-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.5 V | 搜索库存 |