SI4864DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0028 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.6 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 25.0 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4864DY-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4864DY-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 20V 17A 8Pin SOIC N T/R | 搜索库存 |