SIHP21N65EF-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.15 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 208 W
漏源极电压Vds 650 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
其他
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIHP21N65EF-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIHP21N65EF-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3Pin3+Tab TO-220AB | 搜索库存 |