SIE812DF-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0034 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5.2 W
阈值电压 2.3 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 10
封装 PolarPAK-10
外形尺寸
封装 PolarPAK-10
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIE812DF-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SIE812DF-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIE812DF-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | MOSFET 40V 163A 125W 2.6mohm @ 10V | 搜索库存 |