SI4368DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
上升时间 20 ns
下降时间 41 ns
封装参数
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SI4368DY-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI4368DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | MOSFET 30V 25A 3.5W 3.2mohm @ 10V | 搜索库存 |