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SIHP25N40D-E3
SIHP25N40D-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.14 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 278 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 400 V

上升时间 57 ns

下降时间 37 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

SIHP25N40D-E3引脚图与封装图
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在线购买SIHP25N40D-E3
型号 制造商 描述 购买
SIHP25N40D-E3 Vishay Semiconductor 威世 Trans MOSFET N-CH 400V 25A 3Pin TO-220AB 搜索库存