SIE812DF-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 125 mW
漏源极电压Vds 40.0 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
下降时间 10 ns
封装参数
封装 PolarPAK-10
外形尺寸
封装 PolarPAK-10
物理参数
工作温度 -50℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIE812DF-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SIE812DF-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIE812DF-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | MOSFET 40V 60A 125W 2.6mohm @ 10V | 搜索库存 |