SIHF5N50D-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 1.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 30 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 500 V
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 325pF @100VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.63 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.8 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIHF5N50D-E3引脚图与封装图
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在线购买SIHF5N50D-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIHF5N50D-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIHF5N50D-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.3 A, 500 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
替代型号SIHF5N50D-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SIHF5N50D-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-220-3 N-Channel | 当前型号 | VISHAY SIHF5N50D-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.3 A, 500 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V | 当前型号 |
| 型号： NDF05N50ZG 品牌： 安森美 封装： TO-220 N-Channel 500V 5A | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NDF05N50ZG 场效应管, MOSFET, N沟道, 500V 5A TO-220 | SIHF5N50D-E3和NDF05N50ZG的区别 |