SUD50P04-15-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.012 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 100 W
漏源极电压Vds -40.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids -50.0 A
输入电容Ciss 5400pF @25VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
SUD50P04-15-E3引脚图与封装图
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在线购买SUD50P04-15-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SUD50P04-15-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SUD50P04-15-E3 晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, P沟道, -50 A, -40 V, 0.012 ohm, -10 V, -1 V 新 | 搜索库存 |
替代型号SUD50P04-15-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SUD50P04-15-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-252 P-Channel 40V 50A 24mΩ | 当前型号 | VISHAY SUD50P04-15-E3 晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, P沟道, -50 A, -40 V, 0.012 ohm, -10 V, -1 V 新 | 当前型号 |
| 型号： SUD50P04-08-GE3 品牌： 威世 封装： TO-252AA P-Channel | 功能相似 | VISHAY SUD50P04-08-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 6.7 mohm, -10 V, -1 V | SUD50P04-15-E3和SUD50P04-08-GE3的区别 |